MEMS光開(kāi)關(guān)核心技術(shù)解析：靜電驅(qū)動(dòng)四大結(jié)構(gòu)及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)-廣西科毅光通信

5G 時(shí)代下 MEMS 光開(kāi)關(guān)中靜電驅(qū)動(dòng)四大結(jié)構(gòu)（懸臂梁、扭臂、梳狀、SDA）的詳解及廣西科毅光通信產(chǎn)品應(yīng)用對(duì)比

MEMS光開(kāi)關(guān)建模與仿真技術(shù)：精準(zhǔn)優(yōu)化光開(kāi)關(guān)性能的核心手段

MEMS光開(kāi)關(guān)核心解析：原理、結(jié)構(gòu)類型與光通信應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

全內(nèi)反射型光波導(dǎo)開(kāi)關(guān)應(yīng)用案例與行業(yè)趨勢(shì)

全內(nèi)反射型光波導(dǎo)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備工藝

MEMS光開(kāi)關(guān)陣列：數(shù)據(jù)中心光通信的革命性解決方案

MEMS光開(kāi)關(guān)陣列的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

MEMS 可調(diào)光衰減器的波長(zhǎng)相關(guān)損耗優(yōu)化

MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）可調(diào)光衰減器中的波長(zhǎng)相關(guān)損耗（WDL）優(yōu)化是一個(gè)重要的技術(shù)挑戰(zhàn)。

磁光開(kāi)關(guān)工作原理和設(shè)計(jì)方法

文章介紹了磁光開(kāi)關(guān)的性能，探討了磁光開(kāi)關(guān)的未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展前景；介紹了設(shè)計(jì)磁光開(kāi)關(guān)的三種方法以及具體的電路磁路設(shè)計(jì)，并對(duì)其設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了綜合的測(cè)試。結(jié)果表明，磁光開(kāi)關(guān)不僅具有開(kāi)關(guān)速度快、穩(wěn)定性高等優(yōu)勢(shì)，而且相對(duì)于其他非機(jī)械式光開(kāi)關(guān)，它又具有驅(qū)動(dòng)電壓低、串?dāng)_小等優(yōu)勢(shì)。磁光開(kāi)關(guān)將成為一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的光開(kāi)關(guān)。

新型光開(kāi)關(guān)技術(shù)與行業(yè)趨勢(shì)：熱光、全息光柵及液體光柵開(kāi)關(guān)應(yīng)用

主流光開(kāi)關(guān)技術(shù)對(duì)比：MEMS、噴墨氣泡與液晶光開(kāi)關(guān)詳解

光開(kāi)關(guān)核心性能參數(shù)解析：如何判斷光開(kāi)關(guān)質(zhì)量?jī)?yōu)劣？

科毅光通信：新一代無(wú)阻塞MEMS光開(kāi)關(guān)技術(shù)解析與行業(yè)應(yīng)用

該光開(kāi)關(guān)包括:N到N的無(wú)阻塞交換矩陣，所述無(wú)阻塞交換矩陣包括NMM個(gè)節(jié)點(diǎn),每個(gè)節(jié)點(diǎn)包括用于進(jìn)行二進(jìn)二出的光路交換的四個(gè)數(shù)字光開(kāi)關(guān)單元,每個(gè)數(shù)字光開(kāi)關(guān)單元具有兩種狀態(tài):所述無(wú)阻塞交換矩陣的NMM個(gè)節(jié)點(diǎn)中包括N個(gè)輸入端和N個(gè)輸出端;所述無(wú)阻塞交換矩陣,用于從N個(gè)輸入端接收N個(gè)輸入光纖輸入的個(gè)輸入光信號(hào):經(jīng)過(guò)預(yù)先設(shè)定的M級(jí)節(jié)點(diǎn)的路由,將N個(gè)輸入光信號(hào)交換到N個(gè)輸出端上;從N個(gè)輸出端將經(jīng)過(guò)無(wú)阻塞交換矩陣交換后得到的N個(gè)輸出光信號(hào)耦合到N個(gè)輸出光纖上。本發(fā)明光開(kāi)關(guān)易于實(shí)現(xiàn)對(duì)節(jié)點(diǎn)的控制,適合大規(guī)模應(yīng)用。

光耦開(kāi)關(guān)應(yīng)用電路設(shè)計(jì)指南：參數(shù)選型、壽命評(píng)估與實(shí)操方案

光分路器核心技術(shù)解析與應(yīng)用場(chǎng)景全攻略——廣西科毅光通信專業(yè)解決方案

光分路器基本常識(shí)介紹，包括分光原理、常用技術(shù)指標(biāo)（插入損耗、附加損耗、分光比、隔離度等）及穩(wěn)定性；用全波段測(cè)試法優(yōu)化光器件性能，包括不同光器件在全波段下的測(cè)試需求及折衷測(cè)試方案；PLC 分路器相關(guān)技術(shù)，包括制作、優(yōu)缺點(diǎn)及封裝技術(shù)。

光開(kāi)關(guān)，先開(kāi)關(guān)的分類及光開(kāi)關(guān)的工作原理

光開(kāi)關(guān)行業(yè)痛點(diǎn)解析：防竄光技術(shù)如何破解汽車電子開(kāi)關(guān)誤判難題

高速磁光開(kāi)關(guān)技術(shù)解析：科毅光通信如何突破傳統(tǒng)光開(kāi)關(guān)痛點(diǎn)？

光開(kāi)關(guān)在極端溫度環(huán)境下的穩(wěn)定性如何？

極端溫度環(huán)境會(huì)導(dǎo)致傳統(tǒng)光開(kāi)關(guān)膠層收縮/膨脹，引發(fā)插入損耗漂移?？埔阃ㄟ^(guò)鈦合金封裝殼體（CTE=8.6ppm/℃）與石英基片（CTE=0.5ppm/℃）的梯度匹配設(shè)計(jì)，結(jié)合金屬化鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)-55~125℃寬溫工作。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，產(chǎn)品在100次溫度循環(huán)（-55℃↔125℃）后，插入損耗變化≤0.25dB，回波損耗≥50dB。該技術(shù)已用于南極昆侖站光通信系統(tǒng)，在-80℃低溫與90%濕度環(huán)境下，連續(xù)工作12個(gè)月無(wú)故障，較傳統(tǒng)設(shè)備故障率降低90%，驗(yàn)證了在極端氣候條件下的可靠性優(yōu)勢(shì)。

無(wú)膠光路技術(shù)：光開(kāi)關(guān)偏振相關(guān)損耗控制的突破與OCT應(yīng)用

無(wú)膠光路技術(shù)通過(guò)光路無(wú)膠設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)光開(kāi)關(guān)的低偏振相關(guān)損耗（PDL），其 PDL 值可低至 ≤0.05 dB，同時(shí)具備低插入損耗、高穩(wěn)定性和可靠性等優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)在光學(xué)相干斷層掃描（OCT）系統(tǒng)中具有重要應(yīng)用價(jià)值，OCT 作為非侵入性生物醫(yī)學(xué)成像技術(shù)，軸向分辨率通常可達(dá) 1 μm 至 10 μm，受光源波長(zhǎng)和系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)影響。無(wú)膠光路光開(kāi)關(guān)可廣泛應(yīng)用于城域網(wǎng)、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)、監(jiān)控系統(tǒng)及動(dòng)態(tài)配置分發(fā)復(fù)用等領(lǐng)域，為高精度光學(xué)系統(tǒng)提供關(guān)鍵組件支持。

微型光開(kāi)關(guān)的芯片級(jí)集成（SiP）技術(shù)挑戰(zhàn)與突破路徑——兼論廣西科毅的創(chuàng)新實(shí)踐

SiP集成光開(kāi)關(guān)面臨熱串?dāng)_問(wèn)題，科毅采用微流道散熱與SOI襯底隔離，熱串?dāng)_<0.5℃，已用于800G光模塊測(cè)試系統(tǒng)。