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2025-12-08
在數(shù)字經(jīng)濟(jì)飛速發(fā)展的今天,網(wǎng)絡(luò)帶寬需求呈爆炸式增長,光通信技術(shù)作為信息傳輸?shù)暮诵闹?,正迎來新一輪技術(shù)革新。全光交換作為提升網(wǎng)絡(luò)傳輸速率、拓展帶寬容量的關(guān)鍵技術(shù),其核心器件——光開關(guān)的性能直接決定了全光網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行效率。廣西科毅光通信科技有限公司深耕光通信領(lǐng)域多年,基于自主研發(fā)的專利技術(shù),成功推出一款兼具高速響應(yīng)與低能耗優(yōu)勢的全光開關(guān)產(chǎn)品,為全光網(wǎng)絡(luò)建設(shè)提供了高性能解決方案。
過去數(shù)十年,波分復(fù)用、數(shù)字信號處理和光纖放大技術(shù)的應(yīng)用推動了網(wǎng)絡(luò)帶寬的跨越式發(fā)展,但隨著5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等新興技術(shù)的普及,市場對網(wǎng)絡(luò)傳輸速率和帶寬容量的需求持續(xù)攀升。全光交換技術(shù)憑借其無需光電轉(zhuǎn)換、傳輸延遲低的優(yōu)勢,成為解決這一需求的核心方向,而全光開關(guān)作為全光交換的核心器件,其性能瓶頸直接制約了全光網(wǎng)絡(luò)的升級步伐。
傳統(tǒng)全光開關(guān)主要分為兩類:一類是在聚合物薄膜上制備二維光子晶體結(jié)構(gòu),利用聚合物的非線性實(shí)現(xiàn)光開關(guān)功能;另一類是直接在半導(dǎo)體薄膜上制備二維光子晶體,通過半導(dǎo)體非線性實(shí)現(xiàn)缺陷態(tài)移動來完成開關(guān)操作。這兩類產(chǎn)品存在一個(gè)共同的短板——無法同時(shí)降低開關(guān)能量和減小開關(guān)時(shí)間,要么能耗過高,要么響應(yīng)速度不足,難以滿足現(xiàn)代全光網(wǎng)絡(luò)對高速、低耗的雙重需求。
此外,部分研究嘗試將聚合物與半導(dǎo)體二維光子晶體結(jié)合,構(gòu)建復(fù)合材料光子晶體結(jié)構(gòu)的全光開關(guān),但這類產(chǎn)品往往尺寸偏大,無法實(shí)現(xiàn)亞波長尺寸下的超快速、低能耗運(yùn)行,限制了其在小型化、高密度光通信設(shè)備中的應(yīng)用。在這樣的行業(yè)背景下,廣西科毅光通信研發(fā)的新型全光開關(guān),通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和材料優(yōu)化,成功突破了傳統(tǒng)技術(shù)的局限。
廣西科毅光通信的全光開關(guān)產(chǎn)品,基于專利技術(shù)打造,采用獨(dú)特的復(fù)合材料超構(gòu)表面設(shè)計(jì),核心結(jié)構(gòu)由SOI基底、硅雙棒陣列和設(shè)定折射率聚合物三部分組成,實(shí)現(xiàn)了性能的全面升級。
產(chǎn)品采用呈三明治結(jié)構(gòu)的SOI基底(絕緣襯底上的硅),在頂層硅和底層硅之間引入一層二氧化硅作為埋氧化層。這種結(jié)構(gòu)不僅具備良好的機(jī)械穩(wěn)定性和光學(xué)性能,還能為后續(xù)硅雙棒陣列的刻蝕提供優(yōu)質(zhì)載體,確保器件在復(fù)雜工作環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
在SOI基底的一側(cè)表面,通過精密刻蝕工藝形成多組呈周期排列的硅雙棒結(jié)構(gòu)。每組硅雙棒由兩個(gè)相對間隔設(shè)置的硅棒構(gòu)成,硅棒采用矩形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),且每個(gè)硅棒的中部均斷開,斷開間隔控制在140-170nm(優(yōu)選150nm),兩個(gè)硅棒之間的間隔同樣設(shè)定為150nm。
多組硅雙棒在橫向和縱向的周期參數(shù)均不小于900nm,這樣的設(shè)計(jì)既保證了足夠的硅雙棒數(shù)量以優(yōu)化光學(xué)性能,又避免了因間隔過小導(dǎo)致的聚合物填充困難問題。通過FDTD(時(shí)域有限差分法)仿真驗(yàn)證,當(dāng)硅棒間隔為150nm時(shí),反射光譜的非對稱特性最為顯著,為開關(guān)性能提升奠定了基礎(chǔ)。

多組呈周期排列的硅雙棒結(jié)構(gòu)示意圖
單組硅雙棒的結(jié)構(gòu)參數(shù)示意圖
在多組硅雙棒之間,以及每組硅雙棒的兩個(gè)硅棒之間,均填充有設(shè)定折射率的聚合物,并完全覆蓋硅雙棒表面,形成硅-聚合物復(fù)合材料超構(gòu)表面。產(chǎn)品選用折射率為1.59的聚苯乙烯作為核心聚合物材料,通過旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在硅雙棒結(jié)構(gòu)超構(gòu)表面形成薄膜,經(jīng)烘干溶劑后,聚合物超出硅雙棒的部分高度不低于硅雙棒高度的二分之一。
聚苯乙烯具備優(yōu)良的光學(xué)非線性,不僅三階非線性系數(shù)大,響應(yīng)時(shí)間快,還能在強(qiáng)光照射下快速改變折射率,配合硅雙棒的結(jié)構(gòu)特性,實(shí)現(xiàn)了開關(guān)性能的雙重優(yōu)化。
相較于傳統(tǒng)全光開關(guān)產(chǎn)品,廣西科毅光通信的全光開關(guān)憑借獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料組合,實(shí)現(xiàn)了三大核心優(yōu)勢,完美解決了行業(yè)痛點(diǎn)。
復(fù)合材料超構(gòu)表面的反射光譜具有非對稱的Fano線型特征,這種線型由連續(xù)態(tài)和離散態(tài)之間的干涉形成,在極大值點(diǎn)和極小值點(diǎn)之間存在一條陡峭變化的非對稱譜線(對應(yīng)高品質(zhì)因數(shù))。這一特性使得器件的非線性響應(yīng)時(shí)間大幅縮短,開關(guān)速度相較于傳統(tǒng)產(chǎn)品顯著提升,能夠完美適配全光網(wǎng)絡(luò)對超高速信號交換的需求,進(jìn)一步提升網(wǎng)絡(luò)傳輸速率。
Fano共振波長處具有增強(qiáng)電場強(qiáng)度的作用,再加上聚苯乙烯對折射率變化的高敏感性——即使聚合物折射率僅改變0.001,波長為1.478μm的非對稱反射峰的反射率對比度也能達(dá)到約16dB。這種特性使得器件在強(qiáng)光照射下,僅需較低的泵浦光強(qiáng)度就能引起反射光譜的明顯變化,從而有效降低了全光開關(guān)的開關(guān)能量,減少了設(shè)備運(yùn)行過程中的能耗成本。

改變聚合物折射率后的反射光譜圖
產(chǎn)品通過微納加工工藝實(shí)現(xiàn)亞波長尺寸設(shè)計(jì),相較于傳統(tǒng)復(fù)合材料光子晶體光開關(guān),尺寸更小、重量更輕,不僅便于集成到小型化光通信設(shè)備中,還能適應(yīng)高密度部署需求,廣泛應(yīng)用于不同場景的全光網(wǎng)絡(luò)建設(shè)。
此外,產(chǎn)品的制備流程相對簡便,無需復(fù)雜的工藝步驟,既降低了生產(chǎn)成本,又能保證批量生產(chǎn)的穩(wěn)定性,為大規(guī)模應(yīng)用提供了保障。
廣西科毅光通信的全光開關(guān)產(chǎn)品,通過標(biāo)準(zhǔn)化的精密制造流程,確保每一個(gè)器件都能達(dá)到設(shè)計(jì)性能指標(biāo),具體制備步驟如下:
1. 基材準(zhǔn)備:選擇表面光滑平整的硅片/二氧化硅片,經(jīng)過嚴(yán)格清洗并吹干后,在表面旋涂電子束感光膠;
2. 圖形形成:通過電子束曝光技術(shù),在電子束感光膠上形成預(yù)設(shè)的硅雙棒陣列圖形;
3. 金屬抗蝕層沉積:在帶有圖形的電子束感光膠上沉積金屬抗蝕層;
4. 圖形轉(zhuǎn)移:去除電子束感光膠,在金屬抗蝕層上獲得呈周期排列的硅雙棒結(jié)構(gòu);
5. 等離子刻蝕:通過等離子刻蝕工藝,將金屬抗蝕層上的硅雙棒圖形轉(zhuǎn)移到硅材料上;
6. 抗蝕層去除:去除殘留的金屬抗蝕層,得到純凈的硅雙棒結(jié)構(gòu)超構(gòu)表面;
7. 聚合物涂覆:在硅雙棒結(jié)構(gòu)超構(gòu)表面旋轉(zhuǎn)涂覆聚苯乙烯薄膜,控制溶液濃度、旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速和時(shí)間,確保聚合物充分填充硅雙棒間隙;
8. 烘干成型:烘干溶劑后,形成硅-聚合物復(fù)合材料超構(gòu)表面,即完成全光開關(guān)的核心結(jié)構(gòu)制備。

復(fù)合材料超構(gòu)表面的制備流程示意圖
整個(gè)制備過程嚴(yán)格控制每一個(gè)環(huán)節(jié)的工藝參數(shù),通過精密設(shè)備保障結(jié)構(gòu)尺寸的準(zhǔn)確性和材料結(jié)合的穩(wěn)定性,最終實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性能的一致性。
廣西科毅光通信的全光開關(guān)基于Fano共振效應(yīng)實(shí)現(xiàn)全光切換,工作過程簡單高效,無需復(fù)雜的輔助設(shè)備,具體原理如下:
器件的反射光譜波長范圍集中在1.4至1.6微米,入射光源采用線偏振的平面波,可垂直入射也可傾斜入射。當(dāng)沒有強(qiáng)光(泵浦光)照射時(shí),探測光的反射率保持穩(wěn)定狀態(tài);當(dāng)泵浦光照射到復(fù)合材料超構(gòu)表面時(shí),聚苯乙烯的折射率會因強(qiáng)光作用快速變化,導(dǎo)致反射光譜發(fā)生偏移。
這種光譜變化直接改變了探測光的反射率狀態(tài),通過“有泵浦光”和“無泵浦光”兩種情況下探測光反射率的差異,實(shí)現(xiàn)了光信號的快速切換,完成全光開關(guān)的核心功能。整個(gè)過程無需光電轉(zhuǎn)換,響應(yīng)速度快、傳輸延遲低,完美契合全光交換的技術(shù)需求。

全光開關(guān)工作示意圖

硅棒不同間隔下的反射光譜圖
憑借高速響應(yīng)、低能耗、小型化的核心優(yōu)勢,廣西科毅光通信的全光開關(guān)產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于多個(gè)光通信場景,為不同領(lǐng)域的網(wǎng)絡(luò)建設(shè)提供核心支撐:
數(shù)據(jù)中心作為數(shù)字信息存儲和處理的核心樞紐,對數(shù)據(jù)傳輸速率和能耗控制要求極高。該產(chǎn)品可用于數(shù)據(jù)中心的光交換矩陣,實(shí)現(xiàn)服務(wù)器之間的高速光信號交換,提升數(shù)據(jù)處理效率,同時(shí)降低機(jī)房能耗,助力綠色數(shù)據(jù)中心建設(shè)。
5G網(wǎng)絡(luò)具有高帶寬、低延遲的特性,對基站之間的信號傳輸提出了更高要求。全光開關(guān)可集成到5G基站的光通信模塊中,實(shí)現(xiàn)基站間的快速信號切換,保障5G網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行,支持高清視頻、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用的普及。
在長途光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)中,全光開關(guān)可用于光交叉連接設(shè)備(OXC),實(shí)現(xiàn)不同光纖鏈路之間的靈活切換,提升網(wǎng)絡(luò)的可靠性和擴(kuò)展性。其低能耗特性還能降低長途傳輸網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行成本,減少能源消耗。
該產(chǎn)品可供應(yīng)給光通信設(shè)備制造商,集成到全光交換機(jī)、光路由器等終端設(shè)備中,提升設(shè)備的核心性能,助力下游企業(yè)打造更具競爭力的產(chǎn)品。
廣西科毅光通信科技有限公司專注于光通信核心器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,擁有一支由資深工程師和技術(shù)專家組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì),始終致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。公司依托自主研發(fā)的專利技術(shù),打造了全光開關(guān)、光模塊等一系列高性能產(chǎn)品,憑借穩(wěn)定的品質(zhì)和優(yōu)質(zhì)的服務(wù),贏得了行業(yè)客戶的廣泛認(rèn)可。
在全光網(wǎng)絡(luò)建設(shè)加速推進(jìn)的背景下,光開關(guān)作為核心器件,其性能升級直接推動著光通信行業(yè)的發(fā)展。廣西科毅光通信的全光開關(guān)產(chǎn)品,通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和材料優(yōu)化,成功實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)與低能耗的雙重突破,解決了傳統(tǒng)產(chǎn)品的行業(yè)痛點(diǎn),為全光網(wǎng)絡(luò)建設(shè)提供了高性能、高可靠性的核心支撐。
未來,廣西科毅光通信將繼續(xù)深耕光通信領(lǐng)域,持續(xù)加大研發(fā)投入,推動更多核心技術(shù)的突破與轉(zhuǎn)化,為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的光通信產(chǎn)品和解決方案,助力數(shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。
擇合適的光開關(guān)等光學(xué)器件是一項(xiàng)需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應(yīng)商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細(xì)對比關(guān)鍵參數(shù),并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專業(yè)的合作伙伴。
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